Greater Paris Metropolitan Region
Docteur en Physique Spécialiste en analyse de surface, optique, couches minces et nanostructures Organisé, rigoureux avec de fortes qualités relationnelles
Ingénieur de recherche en sciences des matériaux / caractérisation (BAP B) Spécialiste en analyse de surface Institut Lavoisier de Versailles (ILV - UMR 8180) Centre d'Etude et de Formation des Spectroscopies de Surface (CEFS2) - Analyses XPS et ARXPS - Microscopie électronique à balayage (SEM-EDS, EBSD) - Nano-sonde Auger - Préparation d'échantillons
Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (LETI) Département Technologies Silicium (DTSI) Service de Caractérisation des Matériaux & Composants (SCMC) "Etude combinée par photoluminescence et photoémission localisée de mono-feuillets bi- dimensionnels (2D) de dichalcogénures de métaux de transition : MoS2 et WS2" - Développement d'un protocole de laboratoire pour la caractérisation avancée de couches ultraminces - Analyses XPS - Spectromicroscopie de photo-électrons dans l'espace direct (XPEEM) et réciproque (k-PEEM - ARPES) - Mesure de la bande de valence et du travail de sortie - Spectrométrie Raman - Micro-photoluminescence à basse température (5K) - Influence du substrat sur la structure de bande et les propriétés optoélectroniques - Microscopie à force atomique
Attaché Temporaire d'Enseignement et de Recherche (ATER) Enseignements à Télécom Physique Strasbourg Laboratoire des Sciences de l'Ingénieur, de l'Informatique et de l'Imagerie (ICube, UMR 7357) Département Électronique du Solide, Systèmes & Photonique (D-ESSP) Équipe Matériaux pour Composants Électroniques et Photovoltaïques (MaCEPV) "Caractérisation par spectrométries optiques de nanocristaux de silicium (Si) dopés, formés par implantation ionique" - Co-implantation de Si et d'espèces dopantes (P, As et B) dans la silice SiO2 - Spectrométrie d'absorption, de photoluminescence (PL) et d'excitation de PL - Spectrométrie Raman et infrarouge - Mesures de durées de vie de PL - Effet du dopage (type n et p) sur les propriétés optiques - Mesures électriques: I-V et C-V "Etude par spectrométrie Raman de nanocristaux ternaires III-V InxGa1-xAs formés par implantation ionique" - Spectrométrie Raman - Diffraction des rayons X - Mesures de réflectivité
Ecole Nationale Supérieure des Industries Chimiques (ENSIC) ANR « NANOZnOTOX » Bioperception, toxicité et stabilité de quantum dots d’oxyde de zinc (ZnO) Laboratoire Réactions et Génie des Procédés (LRGP, UMR 7274) - Synthèse de quantum dots d'oxyde de zinc (ZnO) - Fonctionnalisation (aminosiloxanes) - Caractérisation par spectrométrie optique - Analyses structurales - Métrologie des nanomatériaux - Evaluation de la production d'espèces réactives de l'oxygène (ROS)
"Élaboration et caractérisation de nanocristaux de sulfure de cadmium - dépôt en couches minces nanostructurées" Laboratoire de Chimie et Physique: Approche Multi-échelles des Milieux Complexes (LCP-A2MC, EA 4632) Développement de méthodes de croissance de nanocristaux semi-conducteurs de type II-VI par voie chimique: thermique et micro-ondes (approche bottom-up) Caractérisation par des méthodes d’analyses conjointes adaptées à l’étude des nanocristaux : - Diffraction des rayons X - Spectrométrie de masse et microcopie électronique - Spectrométrie optique d’absorption et de photoluminescence - Analyse excitonique - confinement quantique - Etude de la stabilité face à l’oxydation et à la fonctionnalisation (états de surface) Dépôt par spin coating de couches minces contenant des nanocristaux Analyses structurales et caractérisation optique de films minces